centrotherm photovoltaics baut Siliziumkompetenz aus

Die centrotherm SiTec GmbH, eine hundertprozentige Tochter der centrotherm photovoltaics AG, geht mit einem neuen Kristallisationsofen zur Herstellung von multikristallinen Ingots in den Markt und ergänzt damit das Leistungsangebot der centrotherm photovoltaics-Gruppe im Bereich Ingot-Produktion. Der Hochleistungsofen zeichnet sich durch einen höheren Output im Vergleich zu bisher im Markt erhältlichen Modellen aus und befindet sich bereits in der Testphase. Die aktuell erreichten Leistungsparameter übertreffen die Erwartungen zu diesem Zeitpunkt. Neben einem deutlich optimierten Energiehaushalt bietet der Kristallisationsofen eine solide Plattform für künftige, modulare Erweiterungen. Die Auslieferung der ersten Kristallisationsöfen an die Kunden ist für das erste Halbjahr 2010 geplant und verspricht einen idealen Markteintrittszeitpunkt, da für 2010 eine deutliche Erholung der Märkte nach dem allgemeinen wirtschaftlichen Abschwung im Zuge der weltweiten Finanzkrise prognostiziert wird. Schon heute verzeichnet die centrotherm SiTec eine stetig steigende Nachfrage nach Kristallisations- und Waferlösungen sowohl bei Einzelanlagen als auch bei kompletten Produktionseinrichtungen. Mit dem Kristallisationsofen bietet die centrotherm SiTec zusätzlich Facility Design, Engineering-Dienstleistungen, Prozesstechnologie für die Kristallisation und die dafür benötigten Prozess-Schlüsselanlagen an. Dieses umfassende Angebot beweist einmal mehr die Leistungsstärke der centrotherm photovoltaics-Gruppe, Technologie-, Prozess-Know-how und Schlüsselequipment aus einer Hand zu liefern.

Im Kristallisationsofen werden in einem Quarztiegel zunächst Polysiliziumstücke bei mehr als 1450 Grad Celsius geschmolzen. Danach wird die Siliziumschmelze , beruhend auf dem Prinzip der gerichteten Erstarrung, zu multikristallinen Ingots gefertigt. Aus diesen kristallisierten Siliziumblöcken können anschließend Säulen und Wafer gesägt werde, die man zur Herstellung von Solarzellen und Solarmodulen benötigt. Der Kristallisationsofen fasst bis zu 450 Kilogramm Polysilizium und hat eine optimierte Hot Zone für einen Quarztiegel von 880mm x 880mm x 420 mm, die für einen effizienten Silizium-Schmelzvorgang und eine optimierte Prozessführung bei der Kristallisation sorgt.

‘Mit unserer innovativen Entwicklungsarbeit bauen wir das Leistungsangebot der centrotherm photovoltaics-Gruppe im Siliziumbereich kontinuierlich aus’, erläutert Dr. Albrecht Mozer, Geschäftsführer der centrotherm SiTec. ‘Der Kristallisationsofen ist ein weiterer Meilenstein unserer unternehmensinternen Produktentwicklung. Er bestätigt die Richtigkeit der Entscheidung, die Siliziumkompetenz der centrotherm photovoltaics-Gruppe unter dem Dach der centrotherm SiTec zu bündeln.’

Die centrotherm photovoltaics hat außerdem vor kurzem eine Kooperation mit der Hochschule Ulm beschlossen: Im Mittelpunkt der Zusammenarbeit werden zunächst Projekte stehen, welche die Verfahrenstechnik zur Herstellung von CIGS-Dünnschicht-Solarzellen weiterentwickeln und verbessern. Bei diesem Typ von Solarzellen wird Kupfer-Indium-Gallium-Diselenid als Verbindungshalbleiter verwendet, der im Labor hinsichtlich der Absorption bereits einen Wirkungsgrad von 20 Prozent erreicht. ‘Aktuell arbeiten wir an einem speziellen Verfahren zum Abscheiden von Zwischenschichten’, so Dr. Thomas Walter, der an der Hochschule Ulm als Professor für Mikrosystemtechnik und Nanotechnologie tätig ist und auf dem Gebiet der Dünnschicht-Technologie forscht.